Samsung M393B1G70BH0-YK0 1x8GB DDR3 1600Mhz ラム

DRAMは、デスクトップおよびノートブックコンピュータ、サーバー、ハイエンドワークステーションなどのいくつかのコンピューティングデバイスでメインメモリとして使用されるRAM（ランダムアクセスメモリ）の一種です。これは、現世代のコンピュータで使用される最も広く使用されている半導体メモリであり、構造の単純さ、非常に高いパッキング密度（チップ面積の単位あたりに格納できるバイト数）、低消費電力、十分な電力など、いくつかの重要な利点を提供します。高いデータ読み取り/書き込み速度。現在、いくつかのタイプのDRAMが、家庭用/パーソナルコンピューター、ポータブルコンピューター、ネットワークサーバーなどのさまざまなコンピューティングプラットフォームに展開できます。このタイプのメモリは、いくつかの革新的な技術開発を経て、非常に高い価格/性能比を提供します。

現世代のサーバーでの展開には、レジスタードメモリとフルバッファ（FB）メモリの2種類のDRAMが広く使用されています。これらのメモリタイプは両方ともDIMM（デュアルインラインメモリモジュール）として市販されています。レジスタードDIMM（またはRDIMM）は、DRAMモジュールとシステムのメモリコントローラーの間に追加のハードウェアレジスターを備えて設計されています。 RDIMMは、メモリコントローラの電気的負荷が低く、取り付けられているメモリモジュールの数が増えても安定性が維持されるなど、システムにいくつかの利点があります。したがって、RDIMMは、多くの場合、サーバークラスのコンピューティングシステムに展開するためのデフォルトの選択肢です。完全にバッファリングされたDIMM（またはFB DIMM）は、限られたボードスペースでより高いメモリ密度を必要とするシステムでの使用を目的としています。通常のDRAMで使用される並列データ転送技術とは対照的に、FB DIMMは、メモリコントローラーとFB DIMMモジュール間でアドバンストメモリバッファー（AMB）と呼ばれる追加のバッファーを使用して、シリアル形式でデータを転送します。 AMBは仲介者として機能し、メモリモジュールのすべてのデータ読み取り/書き込みを処理し、信号の劣化やエラー訂正などの問題を処理し、メモリコントローラのオーバーヘッドを削減します。したがって、FB DIMMは、サーバーグレードのマシンに展開するための信頼できる代替手段であることが証明されています。


仕様：

バッファメモリタイプ：レジスタード（バッファ）
CASレイテンシ：11
内部メモリ：8 GB
メモリレイアウト（モジュールxサイズ）：1 x 8 GB
内部メモリタイプ：DDR3L
メモリクロック速度：1600 MHz
コンポーネント：PC /サーバー

特徴：
メモリフォームファクタ：240ピンDIMM
メモリランキング：1
メモリ電圧：1.35 V
モジュール構成：1024M x 72

動作条件：
作動温度（TT）：0 85°C

重量と寸法：
高さ：30 mm

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